GeneSiC Semiconductor - MSRT15060(A)D

KEY Part #: K6468841

MSRT15060(A)D 価格設定(USD) [1317個在庫]

  • 1 pcs$32.85075
  • 25 pcs$18.39542

品番:
MSRT15060(A)D
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER. Rectifiers 600V 150A Forward
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT15060(A)D electronic components. MSRT15060(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT15060(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT15060(A)D 製品の属性

品番 : MSRT15060(A)D
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 150A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 150A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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