IXTP1R4N100P 価格設定（USD） [49877個在庫]
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- 品番:
- IXTP1R4N100P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTP1R4N100P electronic components. IXTP1R4N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1R4N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP1R4N100P 製品の属性
品番 :
IXTP1R4N100P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
17.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
450pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
63W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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