Toshiba Semiconductor and Storage - RN1427TE85LF

KEY Part #: K6526133

RN1427TE85LF 価格設定(USD) [843445個在庫]

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品番:
RN1427TE85LF
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1427TE85LF 製品の属性

品番 : RN1427TE85LF
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : NPN - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 800mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 10 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 90 @ 100mA, 1V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 250mV @ 1mA, 50mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : 300MHz
パワー-最大 : 200mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : S-Mini

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