Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU6JL-5702E3/51

KEY Part #: K6541705

[12287個在庫]


    品番:
    GBU6JL-5702E3/51
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU6JL-5702E3/51 electronic components. GBU6JL-5702E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU6JL-5702E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU6JL-5702E3/51 製品の属性

    品番 : GBU6JL-5702E3/51
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.8A GBU
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 600V
    電流-平均整流(Io) : 3.8A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 6A
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 600V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
    サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

    あなたも興味があるかもしれません
    • DBA40G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA40G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.6A.

    • DBA20G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    • DBA20G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A.

    • DBA100G-K15

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.7A.

    • DBA150G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.5A.