GeneSiC Semiconductor - MSRT200100(A)D

KEY Part #: K6468612

MSRT200100(A)D 価格設定(USD) [1194個在庫]

  • 1 pcs$36.26045
  • 25 pcs$25.86845

品番:
MSRT200100(A)D
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER. Rectifiers 1000V 200A Forward
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MSRT200100(A)D electronic components. MSRT200100(A)D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MSRT200100(A)D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT200100(A)D 製品の属性

品番 : MSRT200100(A)D
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Series Connection
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1000V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 200A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 200A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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