GeneSiC Semiconductor - 1N2129AR

KEY Part #: K6425239

詳細な説明:: DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5. Rectifiers 100V 60A REV Leads Std. Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N2129AR electronic components. 1N2129AR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N2129AR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N2129AR

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP REV 100V 60A DO5

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V

電流-平均整流（Io） : 60A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 60A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

あなたも興味があるかもしれません

RHRD660S9A-F085

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V Hyperfast
BAS40E6327HTSA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
QH08BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier
LXA04B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 4A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 4A Low Qrr
LXA03D530-TL

Power Integrations

DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V, 3A, Low Qrr PFC boost 75nC
LXA03D530

Power Integrations

DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO. Rectifiers 530V 3A X-Series 3A 75nC 3.2A 0.34