NSVMUN2212T1G 価格設定（USD） [1368472個在庫]
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- 12,000 pcs$0.01998
- 品番:
- NSVMUN2212T1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NSVMUN2212T1G electronic components. NSVMUN2212T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSVMUN2212T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSVMUN2212T1G 製品の属性
品番 :
NSVMUN2212T1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
22 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
22 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
60 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
250mV @ 300µA, 10mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
230mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-59-3
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