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- 品番:
- IRFH6200TR2PBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF electronic components. IRFH6200TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH6200TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH6200TR2PBF 製品の属性
品番 :
IRFH6200TR2PBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
49A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
0.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 150µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
230nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10890pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.6W (Ta), 156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerVDFN
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