Microsemi Corporation - JANTXV1N5806URS

KEY Part #: K6446331

JANTXV1N5806URS 価格設定(USD) [3004個在庫]

  • 1 pcs$14.48542
  • 100 pcs$14.41336

品番:
JANTXV1N5806URS
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG. Rectifiers Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5806URS electronic components. JANTXV1N5806URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5806URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5806URS 製品の属性

品番 : JANTXV1N5806URS
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 875mV @ 1A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : A-MELF
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MMBD1202

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

  • VSB1545-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A P600.

  • VSB15L45-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7A P600.

  • P600M-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 1000 Volt 400 Amp IFSM

  • P600J-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A P600. Rectifiers 6.0 Amp 600 Volt 400 Amp IFSM

  • EGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.