Vishay Semiconductor Diodes Division - BZT52C30-HE3-18

KEY Part #: K6500281

BZT52C30-HE3-18 価格設定(USD) [2494569個在庫]

  • 1 pcs$0.01483
  • 10,000 pcs$0.01412

品番:
BZT52C30-HE3-18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 30V 410MW SOD123. Zener Diodes 30 Volt 0.41W 5% AUTO
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZT52C30-HE3-18 electronic components. BZT52C30-HE3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZT52C30-HE3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZT52C30-HE3-18 製品の属性

品番 : BZT52C30-HE3-18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 30V 410MW SOD123
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 30V
公差 : ±5%
パワー-最大 : 410mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 35 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 22.5V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
動作温度 : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-123

あなたも興味があるかもしれません
  • MMSZ5256B-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 30V 500MW SOD123. Zener Diodes 30 Volt 0.5W 5% AUTO

  • MMSZ5262C-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 51V 500MW SOD123. Zener Diodes 51 Volt 0.5W 2%

  • BZT52C20-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 20V 410MW SOD123. Zener Diodes 20 Volt 0.41W 5%

  • MMSZ4705-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 18V 500MW SOD123. Zener Diodes 18 Volt 0.5W 5%

  • MMSZ4705-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 18V 500MW SOD123. Zener Diodes 18 Volt 0.5 Watt 5%

  • BZT52C8V2-G3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123.