HN2D01JE(TE85L,F) 価格設定（USD） [1060332個在庫]
- 1 pcs$0.03488
- 詳細な説明:
- DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2D01JE(TE85L,F) electronic components. HN2D01JE(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2D01JE(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN2D01JE(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
HN2D01JE(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオード構成 :
2 Independent
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io）（ダイオードごと） :
100mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
1.6ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500nA @ 80V
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-553
サプライヤーデバイスパッケージ :
ESV
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