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Microsemi Corporation - JAN1N914

KEY Part #: K6441417

JAN1N914 価格設定（USD） [52836個在庫]

  • 1 pcs$1.20311
  • 10 pcs$1.03020
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  • 2,500 pcs$0.49670
品番:
JAN1N914
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N914 electronic components. JAN1N914 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N914, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N914 製品の属性

品番 : JAN1N914
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/116
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 75V
電流-平均整流（Io） : 200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 50mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 75V
静電容量@ Vr、F : 2.8pF @ 1.5V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-35 (DO-204AH)
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

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