TSM048NB06LCR RLG 価格設定（USD） [142736個在庫]
- 1 pcs$0.25913
- 詳細な説明:
- MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG electronic components. TSM048NB06LCR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM048NB06LCR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM048NB06LCR RLG 製品の属性
品番 :
TSM048NB06LCR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16A (Ta), 107A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
6253pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.1W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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