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- 品番:
- 1N5282_T50R
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1N5282_T50R electronic components. 1N5282_T50R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5282_T50R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5282_T50R 製品の属性
品番 :
1N5282_T50R
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
80V
電流-平均整流（Io） :
200mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
900mV @ 100mA
速度 :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 55V
静電容量@ Vr、F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
DO-204AH, DO-35, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-35
動作温度-ジャンクション :
175°C (Max)
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