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- 品番:
- STGD3NB60HDT4
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 10A 50W DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STGD3NB60HDT4 electronic components. STGD3NB60HDT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGD3NB60HDT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STGD3NB60HDT4 製品の属性
品番 :
STGD3NB60HDT4
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
IGBT 600V 10A 50W DPAK
シリーズ :
PowerMESH™
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電流-パルスコレクター（Icm） :
24A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.8V @ 15V, 3A
パワー-最大 :
50W
スイッチングエネルギー :
33µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
21nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
5ns/53ns
試験条件 :
480V, 3A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
95ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
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