IXYP20N65C3D1 価格設定（USD） [37110個在庫]
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- 品番:
- IXYP20N65C3D1
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- IGBT 650V 18A 50W TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXYP20N65C3D1 electronic components. IXYP20N65C3D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXYP20N65C3D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXYP20N65C3D1 製品の属性
品番 :
IXYP20N65C3D1
メーカー :
IXYS
説明 :
IGBT 650V 18A 50W TO220
シリーズ :
GenX3™, XPT™
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
PT
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
650V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
50A
電流-パルスコレクター（Icm） :
105A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.5V @ 15V, 20A
パワー-最大 :
200W
スイッチングエネルギー :
430µJ (on), 350µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
30nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
19ns/80ns
試験条件 :
400V, 20A, 20 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
135ns
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
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