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Vishay Semiconductor Diodes Division - G2SB60-M3/51

KEY Part #: K6538131

G2SB60-M3/51 価格設定（USD） [161571個在庫]

  • 1 pcs$0.22892
  • 1,200 pcs$0.21802
品番:
G2SB60-M3/51
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL. Bridge Rectifiers 1.5A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G2SB60-M3/51 electronic components. G2SB60-M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G2SB60-M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

G2SB60-M3/51 製品の属性

品番 : G2SB60-M3/51
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向（最大） : 600V
電流-平均整流（Io） : 1.5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1V @ 750mA
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : 4-SIP, GBL
サプライヤーデバイスパッケージ : GBL

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