Vishay Semiconductor Diodes Division - BZD27C12P-M-08

KEY Part #: K6490991

BZD27C12P-M-08 価格設定(USD) [954299個在庫]

  • 1 pcs$0.03876
  • 30,000 pcs$0.03682

品番:
BZD27C12P-M-08
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BZD27C12P-M-08 electronic components. BZD27C12P-M-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZD27C12P-M-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BZD27C12P-M-08 製品の属性

品番 : BZD27C12P-M-08
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, BZD27C
部品ステータス : Active
電圧-ツェナー(公称)(Vz) : 12V
公差 : -
パワー-最大 : 800mW
インピーダンス(最大)(Zzt) : 7 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ : 3µA @ 9.1V
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 200mA
動作温度 : -65°C ~ 175°C
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-219AB
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-219AB (SMF)

あなたも興味があるかもしれません
  • BZD27C12P-M-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C180P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C56P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • BZD27C18P-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M.

  • SMZJ3789BHE3/5B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 10V 1.5W DO214AA. Zener Diodes 1.5 Watt 10 Volt 5%

  • SMZJ3801BHE3/5B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE ZENER 33V 1.5W DO214AA. Zener Diodes 1.5 Watt 33 Volt 5%