TK72E12N1,S1X 価格設定（USD） [50279個在庫]
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- 品番:
- TK72E12N1,S1X
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 120V 72A TO-220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK72E12N1,S1X electronic components. TK72E12N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK72E12N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK72E12N1,S1X 製品の属性
品番 :
TK72E12N1,S1X
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
シリーズ :
U-MOSVIII-H
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
120V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
72A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4.4 mOhm @ 36A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
130nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8100pF @ 60V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
255W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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