Microsemi Corporation - JANTXV1N5809

KEY Part #: K6434045

JANTXV1N5809 価格設定（USD） [4301個在庫]

1 pcs$10.07325
102 pcs$8.54244

品番:: JANTXV1N5809

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. Rectifiers D MET 6A SFST 100V HRV 6FFTV

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5809 electronic components. JANTXV1N5809 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5809, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANTXV1N5809 製品の属性

品番 : JANTXV1N5809

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 100V

電流-平均整流（Io） : 3A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 875mV @ 4A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 30ns

電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V

静電容量@ Vr、F : 65pF @ 10V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : B, Axial

サプライヤーデバイスパッケージ : -

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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