説明 :
IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
駆動構成 :
High-Side or Low-Side
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
ロジック電圧-VIL、VIH :
0.8V, 2.5V
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
300mA, 600mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
70ns, 35ns
動作温度 :
-40°C ~ 125°C (TA)
パッケージ/ケース :
8-DIP (0.300", 7.62mm)