Infineon Technologies - IDC28D120T6MX1SA2

KEY Part #: K6439904

IDC28D120T6MX1SA2 価格設定(USD) [19939個在庫]

  • 1 pcs$2.06688

品番:
IDC28D120T6MX1SA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDC28D120T6MX1SA2 製品の属性

品番 : IDC28D120T6MX1SA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 50A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.05V @ 50A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : Die
サプライヤーデバイスパッケージ : Sawn on foil
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C

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