S3KHE3_A/I 価格設定（USD） [495660個在庫]
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- 品番:
- S3KHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB. Rectifiers 3A 800V 100A@8.3ms Single Die Auto
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3KHE3_A/I electronic components. S3KHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3KHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3KHE3_A/I 製品の属性
品番 :
S3KHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
800V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 2.5A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 800V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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