2SK208-O(TE85L,F) 価格設定（USD） [699747個在庫]
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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH S-MINI FET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage 2SK208-O(TE85L,F) electronic components. 2SK208-O(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK208-O(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SK208-O(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
2SK208-O(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH S-MINI FET
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
電圧-内訳（V（BR）GSS） :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-ドレイン（Idss）@ Vds（Vgs = 0） :
600µA @ 10V
電流ドレイン（Id）-最大 :
-
電圧-カットオフ（VGSオフ）@ Id :
400mV @ 100nA
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
8.2pF @ 10V
抵抗-RDS（オン） :
-
パワー-最大 :
100mW
動作温度 :
125°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-59
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