DMNH10H028SCT 価格設定（USD） [55012個在庫]
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- 品番:
- DMNH10H028SCT
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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DMNH10H028SCT 製品の属性
品番 :
DMNH10H028SCT
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 61V 100VTO220-3T
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
60A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
28 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
31.9nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1942pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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