[7369個在庫]
- 品番:
- 1PMT5925BT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor 1PMT5925BT1G electronic components. 1PMT5925BT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1PMT5925BT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1PMT5925BT1G 製品の属性
品番 :
1PMT5925BT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
電圧-ツェナー（公称）（Vz） :
10V
公差 :
±5%
パワー-最大 :
3.2W
インピーダンス（最大）（Zzt） :
4.5 Ohms
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 8V
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
動作温度 :
-55°C ~ 150°C
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-216AA
サプライヤーデバイスパッケージ :
Powermite
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