BAV19W-G3-08 価格設定（USD） [2423462個在庫]
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- 品番:
- BAV19W-G3-08
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV19W-G3-08 electronic components. BAV19W-G3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV19W-G3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAV19W-G3-08 製品の属性
品番 :
BAV19W-G3-08
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 200mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
50ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100nA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-123
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD-123
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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- MBRB16H35-E3/81
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- 1N4005-N-0-2-BP
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- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
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- VS-90SQ045TR
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- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
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- B280-13
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- 40EPS08
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