2SC5876U3HZGT106Q 価格設定（USD） [721670個在庫]
- 1 pcs$0.05125
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 2SC5876U3HZG IS THE HIGH SPEED S.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor 2SC5876U3HZGT106Q electronic components. 2SC5876U3HZGT106Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SC5876U3HZGT106Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SC5876U3HZGT106Q 製品の属性
品番 :
2SC5876U3HZGT106Q
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
2SC5876U3HZG IS THE HIGH SPEED S
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN
電流-コレクター（Ic）（最大） :
500mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
60V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1µA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
120 @ 500mA, 2V
パワー-最大 :
200mW
頻度-遷移 :
300MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ :
UMT3
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