Taiwan Semiconductor Corporation - HER308G B0G

KEY Part #: K6431049

HER308G B0G 価格設定(USD) [666819個在庫]

  • 1 pcs$0.05547

品番:
HER308G B0G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 3A DO201AD.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HER308G B0G 製品の属性

品番 : HER308G B0G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 3A DO201AD
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : -
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 75ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F : 35pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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