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Microsemi Corporation - JAN1N3595UR-1

KEY Part #: K6428045

JAN1N3595UR-1 価格設定（USD） [10563個在庫]

  • 1 pcs$3.92070
  • 115 pcs$3.90119
品番:
JAN1N3595UR-1
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GP 125V 150MA DO213AA.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N3595UR-1 electronic components. JAN1N3595UR-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N3595UR-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N3595UR-1 製品の属性

品番 : JAN1N3595UR-1
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GP 125V 150MA DO213AA
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/241
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 125V
電流-平均整流（Io） : 150mA
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 920mV @ 100mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間（trr） : 3µs
電流-Vrでの逆漏れ : 1nA @ 125V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-213AA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-213AA
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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