Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4DL-5303E3/51

KEY Part #: K6541123

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    品番:
    GBU4DL-5303E3/51
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4DL-5303E3/51 electronic components. GBU4DL-5303E3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU4DL-5303E3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU4DL-5303E3/51 製品の属性

    品番 : GBU4DL-5303E3/51
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Single Phase
    技術 : Standard
    電圧-ピーク逆方向(最大) : 200V
    電流-平均整流(Io) : 3A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 4A
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 200V
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 4-SIP, GBU
    サプライヤーデバイスパッケージ : GBU

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