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- 品番:
- JANTXV1N5802US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 50V 1A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 50V HRV 2FFTV
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5802US electronic components. JANTXV1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5802US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5802US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
50V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
875mV @ 1A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
25ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 50V
静電容量@ Vr、F :
25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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