GeneSiC Semiconductor - MBR120100CT

KEY Part #: K6468656

MBR120100CT 価格設定(USD) [1387個在庫]

  • 1 pcs$31.22735
  • 25 pcs$22.79770

品番:
MBR120100CT
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 120A100P/70R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR120100CT electronic components. MBR120100CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR120100CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR120100CT 製品の属性

品番 : MBR120100CT
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 100V 120A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 120A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 840mV @ 60A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 3mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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