Toshiba Semiconductor and Storage - RN2112,LF(CT

KEY Part #: K6527097

RN2112,LF(CT 価格設定(USD) [2234680個在庫]

  • 1 pcs$0.01655

品番:
RN2112,LF(CT
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2112,LF(CT electronic components. RN2112,LF(CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2112,LF(CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN2112,LF(CT 製品の属性

品番 : RN2112,LF(CT
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : PNP - Pre-Biased
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 22 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : -
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100nA (ICBO)
頻度-遷移 : 200MHz
パワー-最大 : 100mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SC-75, SOT-416
サプライヤーデバイスパッケージ : SSM

あなたも興味があるかもしれません
  • PBRN123ES,126

    NXP USA Inc.

    TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3.

  • FJN3302RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3.

  • FJN4305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • FJN3305RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3.

  • FJN4303RTA

    ON Semiconductor

    TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3.

  • DTC124EKA-TP

    Micro Commercial Co

    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3L.