ON Semiconductor - NTP5411NG

KEY Part #: K6407676

[891個在庫]


    品番:
    NTP5411NG
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTP5411NG electronic components. NTP5411NG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTP5411NG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTP5411NG 製品の属性

    品番 : NTP5411NG
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 80A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 10 mOhm @ 40A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 130nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±20V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4500pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 166W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • ZVN4206AVSTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

    • 2N7000-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

    • BS170_J35Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • IRFR3707ZTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 56A DPAK.