Ampleon USA Inc. - BLP10H610AZ

KEY Part #: K6466702

BLP10H610AZ 価格設定（USD） [4365個在庫]

1 pcs$12.60820
60 pcs$12.54547
120 pcs$11.21711
300 pcs$10.70053

品番:: BLP10H610AZ

メーカー:: Ampleon USA Inc.

詳細な説明:: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Ampleon USA Inc. BLP10H610AZ electronic components. BLP10H610AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP10H610AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

BLP10H610AZ 製品の属性

品番 : BLP10H610AZ

メーカー : Ampleon USA Inc.

説明 : RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

シリーズ : -

部品ステータス : Active

トランジスタータイプ : LDMOS (Dual), Common Source

周波数 : 860MHz

利得 : 22dB

電圧-テスト : 50V

定格電流 : -

雑音指数 : -

電流-テスト : 60mA

電力出力 : 10W

電圧-定格 : 104V

パッケージ/ケース : 12-VDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ : 12-HVSON (6x5)

あなたも興味があるかもしれません

PN5033

Central Semiconductor Corp

TRANSISTOR PNP TH.
RFM12U7X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
RFM08U9X(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH PW-X.
PD57030S-E

STMicroelectronics

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10.
PD85025S-E

STMicroelectronics

FET RF 40V 870MHZ.
PD85015STR-E

STMicroelectronics

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF.

English 日本語