現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. AS4C64M16D3B-12BINTR

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3B-12BINTR

KEY Part #: K939763

AS4C64M16D3B-12BINTR 価格設定（USD） [26674個在庫]

  • 1 pcs$1.71791
品番:
AS4C64M16D3B-12BINTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
詳細な説明:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.5V 800MHz 64M x 16 DDR3
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-I / Oエクスパンダー, PMIC-AC DCコンバーター、オフラインスイッチャー, PMIC-電源コントローラー、モニター, データ収集-アナログフロントエンド（AFE）, PMIC-ORコントローラ、理想ダイオード, メモリー-バッテリー, インターフェース-センサー、静電容量式タッチ and インターフェース-音声録音と再生を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BINTR electronic components. AS4C64M16D3B-12BINTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C64M16D3B-12BINTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3B-12BINTR 製品の属性

品番 : AS4C64M16D3B-12BINTR
メーカー : Alliance Memory, Inc.
説明 : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR3
メモリー容量 : 1Gb (64M x 16)
クロック周波数 : 800MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 20ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.425V ~ 1.575V
動作温度 : -40°C ~ 95°C (TC)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 96-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 96-FBGA (13x9)

最新ニュース

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
あなたも興味があるかもしれません
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

ホットパーツ