現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

現在地がリストにない場合は、次のいずれかを選択してください:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. ホーム
  2. 製品
  3. 集積回路（IC）
  4. 記憶
  5. IS61LV12816L-10TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LV12816L-10TI

KEY Part #: K938886

IS61LV12816L-10TI 価格設定（USD） [22281個在庫]

  • 1 pcs$2.06688
  • 270 pcs$2.05660
品番:
IS61LV12816L-10TI
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 2Mb 128Kx16 10ns Async SRAM 3.3v
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、インターフェース-テレコム, ロジック-FIFOメモリ, 組み込み-DSP（デジタルシグナルプロセッサ）, ロジック-パリティジェネレーターとチェッカー, 組み込み-マイクロプロセッサー, 組み込み-マイクロコントローラー, ロジック-ユニバーサルバス機能 and データ収集-デジタルポテンショメータを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TI electronic components. IS61LV12816L-10TI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61LV12816L-10TI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS61LV12816L-10TI 製品の属性

品番 : IS61LV12816L-10TI
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : SRAM
技術 : SRAM - Asynchronous
メモリー容量 : 2Mb (128K x 16)
クロック周波数 : -
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 10ns
アクセス時間 : 10ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3.135V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 44-TSOP II

最新ニュース

Silicom MinnowBoard Turbot
あなたも興味があるかもしれません
  • W25M512JVEIQ

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25V02A-DGQTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. F-RAM F-RAM Memory Serial

  • FM24CL64B-DG

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K I2C 1MHZ 8TDFN. F-RAM IIC FRAM 64K 3V

  • AT28HC64BF-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS SOIC IND GRN

  • AT28HC64B-70SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 70NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9812G2KB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

ホットパーツ