Vishay Siliconix - SIHF22N60E-E3

KEY Part #: K6417017

SIHF22N60E-E3 価格設定(USD) [23090個在庫]

  • 1 pcs$1.78483

品番:
SIHF22N60E-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHF22N60E-E3 製品の属性

品番 : SIHF22N60E-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 600V 21A TO220
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1920pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220 Full Pack
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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