Infineon Technologies - FD600R06ME3_B11_S2

KEY Part #: K6532732

FD600R06ME3_B11_S2 価格設定(USD) [640個在庫]

  • 1 pcs$72.54098

品番:
FD600R06ME3_B11_S2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 600V 600A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD600R06ME3_B11_S2 製品の属性

品番 : FD600R06ME3_B11_S2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 600V 600A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single Chopper
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 600A
パワー-最大 : 2250W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.6V @ 15V, 600A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 60nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

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