SF1006GHC0G 価格設定（USD） [318099個在庫]
- 1 pcs$0.11628
- 品番:
- SF1006GHC0G
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SF1006GHC0G electronic components. SF1006GHC0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF1006GHC0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SF1006GHC0G 製品の属性
品番 :
SF1006GHC0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
300V
電流-平均整流（Io） :
10A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.3V @ 5A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
35ns
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 300V
静電容量@ Vr、F :
50pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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