Vishay Semiconductor Diodes Division - GURB5H60-E3/81

KEY Part #: K6447305

GURB5H60-E3/81 価格設定(USD) [1469個在庫]

  • 1,600 pcs$0.27184

品番:
GURB5H60-E3/81
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, サイリスタ-トライアック and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GURB5H60-E3/81 electronic components. GURB5H60-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GURB5H60-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GURB5H60-E3/81 製品の属性

品番 : GURB5H60-E3/81
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 30ns
電流-Vrでの逆漏れ : 20µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MA3X0280BL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 6V 150MA MINI3.

  • RB420D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

  • RB421D-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOT23.

  • 65PQ015

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

  • GPP60GHE3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60G-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.