Taiwan Semiconductor Corporation - ESH3B V6G

KEY Part #: K6426472

ESH3B V6G 価格設定(USD) [721615個在庫]

  • 1 pcs$0.05126

品番:
ESH3B V6G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 25ns 3A 100V UlFst Recov Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ESH3B V6G electronic components. ESH3B V6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ESH3B V6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ESH3B V6G 製品の属性

品番 : ESH3B V6G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : -
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 20ns
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : 45pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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