Infineon Technologies - FS150R12KE3GBOSA1

KEY Part #: K6533842

FS150R12KE3GBOSA1 価格設定(USD) [288個在庫]

  • 1 pcs$160.89143

品番:
FS150R12KE3GBOSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FS150R12KE3GBOSA1 electronic components. FS150R12KE3GBOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS150R12KE3GBOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R12KE3GBOSA1 製品の属性

品番 : FS150R12KE3GBOSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1
シリーズ : EconoPACK™+
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 695W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 5mA
入力容量(Cies)@ Vce : 10.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-GA250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 400A SOT227.

  • VS-50MT060WHTAPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 114A 658W MTP.

  • VS-CPV364M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GA200SA60UP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 200A 500W SOT-227.

  • STGE50NC60WD

    STMicroelectronics

    IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOP.

  • MG600Q2YS60A

    Powerex Inc.

    IGBT MOD CMPCT 1200V 600A.