RN1105MFV,L3F 価格設定（USD） [4559個在庫]
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- 品番:
- RN1105MFV,L3F
- 詳細な説明:
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN1105MFV,L3F electronic components. RN1105MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1105MFV,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RN1105MFV,L3F 製品の属性
品番 :
RN1105MFV,L3F
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
NPN - Pre-Biased
電流-コレクター（Ic）（最大） :
100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
抵抗-ベース（R1） :
2.2 kOhms
抵抗-エミッターベース（R2） :
47 kOhms
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 500µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
500nA
頻度-遷移 :
-
パワー-最大 :
150mW
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ :
VESM
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