説明 :
IC GATE DRIVER HIGH SIDE 8SOIC
シリーズ :
Automotive, AEC-Q100
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
電流-ピーク出力(ソース、シンク) :
450mA, 450mA
ハイサイド電圧-最大(ブートストラップ) :
300V
立ち上がり/立ち下がり時間(標準) :
65ns, 25ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)