HN1A01FE-GR,LF 価格設定（USD） [1548880個在庫]
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- 品番:
- HN1A01FE-GR,LF
- 詳細な説明:
- TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE-GR,LF electronic components. HN1A01FE-GR,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN1A01FE-GR,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HN1A01FE-GR,LF 製品の属性
品番 :
HN1A01FE-GR,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
トランジスタータイプ :
2 PNP (Dual)
電流-コレクター（Ic）（最大） :
150mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
50V
Vce飽和（最大）@ Ib、Ic :
300mV @ 10mA, 100mA
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン（hFE）（最小）@ Ic、Vce :
200 @ 2mA, 6V
パワー-最大 :
100mW
頻度-遷移 :
80MHz
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ :
ES6
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