IXYS - IXFP36N20X3

KEY Part #: K6398030

IXFP36N20X3 価格設定(USD) [29594個在庫]

  • 1 pcs$1.39261

品番:
IXFP36N20X3
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP36N20X3 製品の属性

品番 : IXFP36N20X3
メーカー : IXYS
説明 : 200V/36A ULTRA JUNCTION X3-CLASS
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 36A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 500µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1425pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 176W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3

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