Infineon Technologies - DF200R12W1H3FB11BOMA1

KEY Part #: K6534532

DF200R12W1H3FB11BOMA1 価格設定(USD) [1128個在庫]

  • 1 pcs$38.34155

品番:
DF200R12W1H3FB11BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies DF200R12W1H3FB11BOMA1 electronic components. DF200R12W1H3FB11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF200R12W1H3FB11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF200R12W1H3FB11BOMA1 製品の属性

品番 : DF200R12W1H3FB11BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
シリーズ : EasyPACK™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 30A
パワー-最大 : 20mW
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.45V @ 15V, 30A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 6.15nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module