STMicroelectronics - STGW8M120DF3

KEY Part #: K6422348

STGW8M120DF3 価格設定(USD) [22864個在庫]

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品番:
STGW8M120DF3
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGW8M120DF3 製品の属性

品番 : STGW8M120DF3
メーカー : STMicroelectronics
説明 : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
シリーズ : M
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 16A
電流-パルスコレクター(Icm) : 32A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.3V @ 15V, 8A
パワー-最大 : 167W
スイッチングエネルギー : 390µJ (on), 370µJ (Off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 32nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 20ns/126ns
試験条件 : 600V, 8A, 33 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 103ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3